完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳三元 | en_US |
| dc.contributor.author | 孫嘉良 | en_US |
| dc.contributor.author | 荊鳳德 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:29Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:29Z | - |
| dc.date.issued | 2003-09-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/13 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/13 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106457 | - |
| dc.description.abstract | 本案係指一種鐵電場效電晶體製造方法，其係應用於金屬/鐵電薄膜/絕緣層/半導體(MFIS)結構的閘極電容元件製作上，該方法乃藉由在該絕緣層上沈積一鉍系鐵電薄膜，並經由一高溫熱處理後，再鍍上一上電極層於該鉍系鐵電薄膜上，俾得致該鐵電場效電晶體結構。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 鐵電場效電晶體製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 00554524 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
