金氧半場效電晶體之結構

Abstract

本發明提供一種可降低源極蕭基位障(Schottky Barrier)載子注入阻抗(Carrier Injection Resistance)的金氧半場效電晶體(MOSFET)之結構及其方法。該結構至少包含一矽覆絕緣(SOI)基板為該結構之基材，一金屬氧化物半導體(MOS)形成於該矽覆絕緣基板之上，以及一金屬矽化物層(Metal-Silicide Layer)。其中該矽覆絕緣基板具有一基底(Substrate)，一絕緣層 (Insulation Layer)位於該基底之上，以及一矽晶層 (Silicon Layer)位於該絕緣層之上；藉由沉積一金屬層(Metal Layer)於該半導體上，利用金屬自行對準矽化物製程與該矽晶層結合後形成該金屬矽化物層，再利用離子植入金屬矽化物或金屬層的製程 (Implant-to-silicide or implant-to-metal) 形成源極與汲極高濃度區以降低源極蕭基位障(Schottky Barrier)載子注入阻抗(Carrier Injection Resistance)。