半導體製程之對準標記

Abstract

本創作半導體製程之對準標記，該對準標記具備X、Y兩方向游標尺及半圓游標尺，且該對準標記係由主刻度與次刻度所組成；藉由本創作進行光罩對準校正，毋需多次的對準、曝光、顯影、檢驗誤差之繁瑣流程，僅需一次的對準操作即可以將前後道光罩偏差量控制在0.1μm，完成精確的光罩對準。