半導體元件製造方法

Abstract

本發明提供一種半導體元件製造方法,用以增强一半導體元件之效能,上述製造方法至少包含下列步驟:首先,形成一閘極層於一基板上。接著,形成一閘極絕緣層於閘極層上,再形成一主動層於閘極絕緣層上。其中,上述主動層係由一微波吸收材料所組成。最後,定義一源/汲極於主動層上,並進行一微波退火程序,以形成半導體元件。