完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳澤龍 | en_US |
dc.contributor.author | 裘性天 | en_US |
dc.contributor.author | 李紫原 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:38Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:17:38Z | - |
dc.date.issued | 2014-07-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | B82B001/00 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106522 | - |
dc.description.abstract | 一種一維鈦金屬奈米結構及其製造方法,使用化學氣相沉積方式,並利用反應溫度300~900℃,沉積溫度為200~850℃,載流氣體之流量0.1~50sccm,反應時間5~60小時,將鈦金屬與四氯化鈦反應完成後,即可於耐溫基材上生成一維鈦金屬奈米結構,一維金屬奈米結構可包含鈦奈米線、鈦奈米帶、花狀鈦奈米線、鈦奈米柱、鈦奈米管以及鈦金屬與二氧化鈦核殼結構之不同型態,且可以很緻密的成長於耐溫基材上,而本發明的製作不需要藉由複雜的微影蝕刻技術,不用額外合成模板,也沒有配製溶液及混漿塗膜等繁雜步驟,藉此可大幅降低製作成本及縮短製作流程,並具有可以放大製程的特點。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 一維鈦金屬奈米結構及其製造方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 201427892 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |