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dc.contributor.author張立en_US
dc.contributor.author吳秉勳en_US
dc.contributor.author丘坤安en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:17:42Z-
dc.date.available2014-12-16T06:17:42Z-
dc.date.issued2014-06-01en_US
dc.identifier.govdocC30B025/02zh_TW
dc.identifier.govdocC30B025/18zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/106547-
dc.description.abstract一種鑽石磊晶成長方式,包含:提供一鑽石基板;沉積至少一金屬層於鑽石基板上,其中金屬層之金屬成分係滿足與鑽石晶格差異性小於15%以及溶碳率小於2 wt%兩種特性至少其中之一之金屬;通入一反應氣氛;以及沉積一鑽石磊晶層於鑽石基板與金屬層上。藉由先形成一金屬層結構,以紓解成長磊晶鑽石薄膜所產生的薄膜應力,避免薄膜產生裂痕。如此則可獲得具有足夠膜厚且品質良好之磊晶層。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title鑽石磊晶成長方式zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201420820zh_TW
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  1. 201420820.pdf

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