半導體元件及其製作方法

Abstract

一種半導體元件的製作方法,包括以下步驟。提供基材,基材具有底座以及位於底座上的多個柱狀體。於各柱狀體的側壁上以及柱狀體間的底座上形成保護層。於柱狀體的頂面上成長第一型摻雜半導體材料,以形成多個第一型摻雜半導體結構。各第一型摻雜半導體結構具有底面以及連接底面的多個側壁面,且各側壁面相對底面傾斜。於第一型摻雜半導體結構的側壁面上形成多層發光層,其中各發光層包括一金屬元素,且此金屬元素於此些發光層中有3種以上的含量。於最上層之發光層上形成第二型摻雜半導體層。一種以上述方法製作而成的半導體元件亦被提出。