統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Transient charging and discharging behaviors of border traps in the dual-layer HfO2/SiO2 high-k gate stack observed by using low-frequency charge pumping method | 108 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Transient charging and discharging behaviors of border traps in the dual-layer HfO2/SiO2 high-k gate stack observed by using low-frequency charge pumping method | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000246929200008.pdf | 6 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 90 |
| 美國 | 10 |
| 俄羅斯聯邦 | 3 |
| 印度 | 2 |
| 法國 | 1 |
| 蒙古 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 90 |
| Menlo Park | 7 |
| Saint Petersburg | 3 |
| Kalyan | 1 |
| Kensington | 1 |
| Paris | 1 |
| Ulaanbaatar | 1 |