統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Impacts of SiN-capping layer on the device characteristics and hot-carrier degradation of nMOSFETs | 106 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Impacts of SiN-capping layer on the device characteristics and hot-carrier degradation of nMOSFETs | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000248067500021.pdf | 6 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 91 |
| 美國 | 12 |
| 台灣 | 2 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 90 |
| Menlo Park | 5 |
| Kensington | 3 |
| Fairfield | 2 |
| Beijing | 1 |
| Edmond | 1 |
| Taipei | 1 |