統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Spatially and temporally resolving the degradation of n-channel poly-Si thin-film transistors under hot-carrier stressing | 114 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Spatially and temporally resolving the degradation of n-channel poly-Si thin-film transistors under hot-carrier stressing | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 3 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000244945400158.pdf | 4 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 97 |
| 美國 | 13 |
| 澳大利亞 | 1 |
| 南韓 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 7 |
| Kensington | 3 |
| Beijing | 1 |
| Buffalo | 1 |
| Saint Robert | 1 |
| San Jose | 1 |
| Seoul | 1 |