統計資料

總造訪次數

檢視
Growth of very-high-mobility AlGaSb/InAs high-electron-mobility transistor structure on si substrate for high speed electronic applications 115

本月總瀏覽

六月 2024 七月 2024 八月 2024 九月 2024 十月 2024 十一月 2024 十二月 2024
Growth of very-high-mobility AlGaSb/InAs high-electron-mobility transistor structure on si substrate for high speed electronic applications 0 0 0 0 0 0 1

檔案下載

檢視
000243582000087.pdf 23

國家瀏覽排行

檢視
中國 102
美國 9
日本 4

縣市瀏覽排行

檢視
Shenzhen 96
Menlo Park 4
Beijing 3
Kensington 3
Dearborn 1
Edmond 1
Nanning 1
Shanghai 1
Zhengzhou 1