標題: | 具紫外光吸收層之薄膜電晶體 |
作者: | 謝漢萍 劉柏村 蔡韻竹 蔡旻諺 鄧立峯 |
公開日期: | 16-十二月-2014 |
摘要: | 一種薄膜電晶體,其包括透明基板、閘極設置於透明基板上、閘極絕緣層設置於閘極及透明基板上、半導體主動層設置於閘絕緣層上、電極層與半導體層藉由電力接觸且曝露出部份的半導體主動層以及紫外光吸收層設置於半導體主動層上,藉由紫外光吸收層在可見光的範圍之光穿透率及其具備保護元件不受外界水氣氧化而影響光電特性之優點,並且藉由薄膜沉積的過程中調整參數來改變其導電度,可降低照光後元件轉移特性曲線變動的光敏感度,並且可穩定啟始電壓使其在一定的範圍內進行操作。 |
官方說明文件#: | H01L031/10 H01L029/78 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/122800 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201448251 |
顯示於類別: | 專利資料 |