完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉道奇 | en_US |
| dc.contributor.author | 邱韋嵐 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-05-12T02:59:50Z | - |
| dc.date.available | 2015-05-12T02:59:50Z | - |
| dc.date.issued | 2015-04-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/60 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/488 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/122852 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係有關於一種具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構。本發明之具有雙晶銅之電性連接結構之製備方法，係包括步驟：(A)提供一第一基板；(B)於該第一基板之部分表面形成一奈米雙晶銅層；(C)將一焊料配置於該奈米雙晶銅層之表面；以及(D)進行回焊以使該焊料與奈米雙晶銅層接合，其中，該焊料至少部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic compound,IMC)層，該介金屬化合物層係包括有一Cu3Sn層。本發明技術使得焊料與奈米雙晶銅所反應在介金屬化合物與銲錫界面的孔洞減少，提升接點可靠度。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 具有奈米雙晶銅之電性連接體、其製備方法、以及包含其之電性連接結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I482231 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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