鑽石磊晶成長方法

Abstract

一種鑽石磊晶成長方法，包含：提供一鑽石基板；沉積至少一金屬層於鑽石基板上，其中金屬層之金屬成分係滿足與鑽石晶格差異性小於15%以及溶碳率小於2wt%兩種特性至少其中之一之金屬；通入一反應氣氛；以及沉積一鑽石磊晶層於鑽石基板與金屬層上。藉由先形成一金屬層結構，以紓解成長磊晶鑽石薄膜所產生的薄膜應力，避免薄膜產生裂痕。如此則可獲得具有足夠膜厚且品質良好之磊晶層。