包含有具優選方向成長之ＣｕＳｎ晶粒之電性連接結構及其製備方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳智	en_US
dc.contributor.author	林漢文	en_US
dc.date.accessioned	2015-05-12T02:59:56Z	-
dc.date.available	2015-05-12T02:59:56Z	-
dc.date.issued	2015-03-11	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L023/48	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L023/488	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/122896	-
dc.description.abstract	本發明係有關於一種包含有具優選方向成長之Cu6Sn5晶粒之電性連接結構及其製備方法。本發明之電性連接結構之製備方法，包括步驟：(A)提供一第一基板；(B)於第一基板之部分表面形成一第一奈米雙晶銅層；(C)使用一銲料將第一基板與一第二基板連接，第二基板具有一第二電性墊，第二電性墊包括第二奈米雙晶銅層，且銲料係配置於第一及第二奈米雙晶銅層之間；以及(D)以200℃至300℃的溫度進行迴焊(reflow)使銲料部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic compound,IMC)層，且介金屬化合物層係包括具優選方向(preferred orientation)成長之Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二奈米雙晶銅層之50%以上的體積係分別包括雙晶銅晶粒。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	包含有具優選方向成長之ＣｕＳｎ晶粒之電性連接結構及其製備方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I476878	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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