晶圓次微米接合方法及其接合層

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳冠能	en_US
dc.contributor.author	張耀仁	en_US
dc.date.accessioned	2015-05-12T02:59:56Z	-
dc.date.available	2015-05-12T02:59:56Z	-
dc.date.issued	2015-03-11	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/50	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L023/12	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/122897	-
dc.description.abstract	本發明提供一種晶圓次微米接合方法及其接合層。本發明之接合層包含有一位於晶圓之欲接合表面上的底部金屬層，一位於底部金屬層上的中間擴散緩衝金屬層；一位於中間緩衝金屬層上且可與底部金屬共晶反應的上方金屬層，此中間擴散緩衝金屬層之熔點高於上方金屬層與底部金屬層。兩個表面形成有接合層之晶圓進行接合時，兩上方金屬層先液相接合，至中間擴散緩衝金屬層隨上方金屬層熔融後均勻分佈，底部金屬層與上方金屬層相互擴散，將上方金屬層完全消耗反應成為一具有低電阻之金屬共晶相位之化合物。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	晶圓次微米接合方法及其接合層	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I476839	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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