統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Electrical-stress effects and device modeling of 0.18-mu m RF MOSFETs | 113 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Electrical-stress effects and device modeling of 0.18-mu m RF MOSFETs | 0 | 2 | 2 | 1 | 2 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000236473500008.pdf | 5 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 98 |
| 美國 | 11 |
| 越南 | 3 |
| 印度 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 92 |
| Menlo Park | 5 |
| Shanghai | 4 |
| Buffalo | 3 |
| Hanoi | 3 |
| Zhengzhou | 2 |
| Kensington | 1 |
| Mumbai | 1 |
| Santa Ana | 1 |
| Thousand Oaks | 1 |