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| 利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性 | 28 |
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| 利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性 | 0 | 0 | 0 | 3 | 2 | 1 | 0 |
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