使用次世代基板製作高效率LED之研究

標題:	使用次世代基板製作高效率LED之研究 The Highly Efficient InGaN-Based Light Emitting Devices Grown On Next Generation Substrates
作者:	蔡明達 Tsai,Ming Ta 李威儀 Lee , Wei-I 電子物理系所
關鍵字:	氮化鎵;基板;發光二極體;紫外光;同質磊晶;獨立式氮化鎵基板;GaN;Substrates;LED;UVLED;homoepitaxtial;free-standing GaN substrate
公開日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070182007 http://hdl.handle.net/11536/126991
顯示於類別：	畢業論文