利用濕式蝕刻大間距圖形化藍寶石基板的側壁成長氮化鎵

標題:	利用濕式蝕刻大間距圖形化藍寶石基板的側壁成長氮化鎵 GaN grown on the side plane of large size wet etching Patterned Sapphire Substrate
作者:	黃偉倫 Huang, Wei-Lun 吳耀銓 Wu, Yew-Chung 材料科學與工程學系所
關鍵字:	發光二極體;圖形化藍寶石基板;濕蝕刻;氮化鎵;特殊平面磊晶;LED;sapphire;PSS;wet etching;GaN;epitaxy
公開日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070251538 http://hdl.handle.net/11536/127249
顯示於類別：	畢業論文