統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Enabling High-Injection Current Light-Emitting Diodes Prepared on 10-mu m-Thick GaN Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy | 4 |
本月總瀏覽
| 六月 2024 | 七月 2024 | 八月 2024 | 九月 2024 | 十月 2024 | 十一月 2024 | 十二月 2024 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Enabling High-Injection Current Light-Emitting Diodes Prepared on 10-mu m-Thick GaN Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 澳大利亞 | 1 |
| 中國 | 1 |
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
| 美國 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Beijing | 1 |
| Sacramento | 1 |