標題: 一種半導體元件製程
作者: 劉柏村
王薇雅
鄧立峯
公開日期: 11-五月-2015
摘要: 1.一種不含銦與鎵元素之金屬氧化物薄膜的半導體元件製程,至少包含下列步驟:製備一半導體元件,其中該半導體元件的結構具有複數個缺陷,至少包含:提供一基板,該基板係由矽,一玻璃基板以及一塑膠基板群組中所選出;形成一閘極於該基板上;形成一閘極介電層於該閘極上;進行一第一氫電漿處理;形成一主動層於該閘極介電層上,該主動層為一金屬氧化物薄膜,其中該金屬氧化物薄膜係為不含銦與鎵元素之金屬氧化物薄膜;進行一第二氫電漿處理;與定義一源極與一汲極於該主動層上;對該半導體元件進行一退火處理,其中該退火處理所使用的一退火溫度係介於攝氏300至450度;置放該半導體元件於一反應腔中,其中該反應腔內之溫度與壓力係分別介於攝氏100至200度與1500至3000磅/平方英寸間;以及通入一超臨界流體於該反應腔中,以修飾該半導體元件的該複數個缺陷,其中該超臨界流體係由氨氣、氮氣、氫氣與水氣群組中所選出,以及該超臨界流體包含一修飾劑。
官方說明文件#: H01L021/3205
H01L021/316
H01L021/324
H01L021/322
URI: http://hdl.handle.net/11536/128716
專利國: TWN
專利號碼: I484559
顯示於類別:專利資料


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