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dc.contributor.author莊景德en_US
dc.contributor.author林宜緯en_US
dc.contributor.author陳家政en_US
dc.contributor.author石維強en_US
dc.date.accessioned2015-12-04T07:03:20Z-
dc.date.available2015-12-04T07:03:20Z-
dc.date.issued2015-07-01en_US
dc.identifier.govdocG11C016/08zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/128736-
dc.description.abstract一種隨機存取記憶體,包含:複數個列,每一該列包含複數個記憶單元及一對應的字元線;各該記憶單元包含一個用於儲存資料的閂鎖器以及至少一閘通電晶體,耦接於該閂鎖器、該對應字元線與一對應位元線之間;複數個字元線驅動器,每一該字元線驅動器包含一電源端、一驅動端、一輸入端及一驅動電晶體;該電源端接收一工作電壓,該驅動端耦接該些列的該些字元線的其中之一,該輸入端接收一解碼訊號,該驅動電晶體包含一控制端與兩通道端,分別耦接該輸入端、該驅動端與該電源端;至少一第一追隨電晶體,各該第一追隨電晶體對應該些字元線驅動器的其中之一,包含兩通道端;其中一通道端耦接該對應字元線驅動器的該電源端及該驅動端的其中之一;該第一追隨電晶體的電子特性追隨該對應字元線驅動器中該驅動電晶體的電子特性;以及至少一第二追隨電晶體,包含一通道端,耦接該第一追隨電晶體的該兩通道端的其中之一;該第二追隨電晶體的電子特性追隨該些記憶單元中該些閘通電晶體的電子特性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title具容忍變異字元線驅動抑制機制之隨機存取記憶體zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI490867zh_TW
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