完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 曾俊元 | en_US |
| dc.contributor.author | 王聖裕 | en_US |
| dc.contributor.author | 蔡承翰 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:23Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:23Z | - |
| dc.date.issued | 2015-07-11 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L027/24 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L045/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/128742 | - |
| dc.description.abstract | 一種電阻式隨存記憶體之製作方法，包含：(a)於一基材上形成一第一電極；(b)於該第一電極上以一175℃至225℃的製程溫度形成一氧化鋯之可變電阻層；及(c)於該可變電阻層上形成一Ti的第二電極；其中，該步驟(b)之可變電阻層的形成是經由濺鍍技術來完成；其中，相較於在一250℃之製程溫度下所製得之氧化鋯之可變電阻層，該步驟(b)在該175℃至225℃之製程溫度下所製作的氧化鋯之可變電阻層於寫入態與抹除態之間的靜態電阻轉換循環次數，能在+1.5V至-2.5V之直流電壓與10次/V之收集頻率的測試條件下，至少提升至6800次。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 電阻式隨存記憶體之製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I492371 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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