增強型氮化鎵電晶體及其形成方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.contributor.author	王煥中	en_US
dc.date.accessioned	2015-12-04T07:03:25Z	-
dc.date.available	2015-12-04T07:03:25Z	-
dc.date.issued	2015-08-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/78	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/28	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/128760	-
dc.description.abstract	一種增強型氮化鎵電晶體，包括：一基板；一異質結構，該異質結構在該基板上，其中該異質結構係由Inx Al1-x n/AlN以及AlGaN/GaN群組中所選出；一p型元素磊晶成長層，p型元素磊晶成長層在該異質結構上；一汲極歐姆接觸及一源極歐姆接觸，該汲極歐姆接觸及該源極歐姆接觸在該異質結構且分別設置在該p型元素磊晶成長層之兩側邊；一閘極結構，該閘極結構在該p型元素磊晶成長層上且與該汲極歐姆接觸及該源極歐姆接觸彼此分離；以及一表面鈍化層，該表面鈍化層包覆該汲極歐姆接觸、該源極歐姆接觸、該p型元素磊晶成長層及覆蓋部份該閘極結構。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	增強型氮化鎵電晶體及其形成方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I497721	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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