可撓曲非揮發性記憶體及其製造方法

Abstract

一種可撓曲非揮發性電阻式記憶體之製造方法，包含：提供一可撓曲基板；形成一平坦層於該可撓曲基板上；沉積一金屬底電極層於該平坦層上；形成一光罩，以定義複數圖樣；對應該光罩定義之該等圖樣沉積包含電性獨立之複數氧化鋁鋅錫(Aluminum Zinc Tin Oxide；AZTO)電阻切換單元之一氧化鋁鋅錫電阻切換層於該金屬底電極層上；以及移除光罩並對應該等氧化鋁鋅錫電阻切換單元沉積一頂電極層於該氧化鋁鋅錫電阻切換層上，俾形成複數非揮發性記憶體單元；其中該可撓曲非揮發性電阻式記憶體之彎曲半徑大於或等於10毫米。