完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張立 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳昱長 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳致宇 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:33Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:33Z | - |
| dc.date.issued | 2015-11-11 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/34 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/455 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/128800 | - |
| dc.description.abstract | 一種鑽石薄膜成長方法，係包含下列步驟：提供一底板；藉由一磊晶步驟形成一異質基板於該底板上，其中該異質基板係由多個晶粒長成，且利用該磊晶步驟於該異質基板之一上表面之該多個晶粒之接合處形成不規則的多個微凹槽；提供多個鑽石核種嵌入該多個微凹槽；以及沉積一鑽石薄膜於該異質基板之該上表面。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 鑽石薄膜成長方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I507558 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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