Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 洪浩喬 | en_US |
dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:35Z | - |
dc.date.available | 2015-12-04T07:03:35Z | - |
dc.date.issued | 2015-11-21 | en_US |
dc.identifier.govdoc | G01R031/28 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/128808 | - |
dc.description.abstract | 一種超大型電晶體陣列式電氣參數測試裝置,包含:一測試晶胞陣列,其係包含複數測試晶胞,每一該測試晶胞更包含:一待測場效電晶體,其係接收一第一設定電壓、一閘極電壓與一基極設定電壓;以及一控制場效電晶體,其以其源極疊接(Cascode)該待測場效電晶體;以及一控制驅動電路,連接該些測試晶胞之該控制場效電晶體之閘極與該些測試晶胞之該控制場效電晶體之汲極,並接收一第二設定電壓與一閘極設定電壓,該控制驅動電路接收複數第一數位訊號與複數第二數位訊號,以據此依序選擇每一該測試晶胞作為待測晶胞,該控制驅動電路傳送該閘極設定電壓至該待測晶胞之該待測場效電晶體作為該待測場效電晶體之該閘極電壓,該待測晶胞之該待測場效電晶體依據該閘極設定電壓、該第一設定電壓與該基極設定電壓以產生一輸出電流,該控制驅動電路透過該待測晶胞之該控制場效電晶體之該汲極接收並量測該輸出電流,並根據該輸出電流與該第二設定電壓產生一控制電壓作為該待測晶胞之該控制場效電晶體之閘極電壓,進而形成一閉回路以準確設定該待測晶胞之該控制場效電晶體之源極電壓,藉此準確量測該待測晶胞之該待測場效電晶體之電氣參數。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 超大型電晶體陣列式電氣參數測試裝置 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I509267 | zh_TW |
Appears in Collections: | Patents |
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