標題: | 半導體元件之內連接結構 |
作者: | 陳冠能 張耀仁 |
公開日期: | 1-十二月-2015 |
摘要: | 一種半導體元件之內連接結構,架構於一半導體基材內,該內連接結構包括:一第一矽晶直通孔,貫穿該半導體基材;以及一第二矽晶直通孔,貫穿該半導體基材,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互間隔一距離,其中,該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互電性絕緣,且該距離介於2μm以及40μm之間。 |
官方說明文件#: | H01L023/52 H01L021/768 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/128817 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I511257 |
顯示於類別: | 專利資料 |