| 標題: | 半導體元件之內連接結構 |
| 作者: | 陳冠能 張耀仁 |
| 公開日期: | 1-Dec-2015 |
| 摘要: | 一種半導體元件之內連接結構，架構於一半導體基材內，該內連接結構包括：一第一矽晶直通孔，貫穿該半導體基材；以及一第二矽晶直通孔，貫穿該半導體基材，該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互間隔一距離，其中，該第一矽晶直通孔與該第二矽晶直通孔相互電性絕緣，且該距離介於2μm以及40μm之間。 |
| 官方說明文件#: | H01L023/52 H01L021/768 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/128817 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | I511257 |
| Appears in Collections: | Patents |
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