外加應力影響下單層二硫化鉬之多體及自旋性質：偽藍道能級之理論研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	鄭舜仁	zh_TW
dc.contributor.author	Cheng Shun-Jen	en_US
dc.date.accessioned	2016-03-28T08:17:19Z	-
dc.date.available	2016-03-28T08:17:19Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST104-2112-M009-002-MY2	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/129868	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11575711&docId=469859	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	外加應力影響下單層二硫化鉬之多體及自旋性質：偽藍道能級之理論研究	zh_TW
dc.title	Theoretical Studies of Fractionally Filled Pseudo-Landau Levels in Strained Mos2 Monolayers	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系（所）	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫