以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( II )

标题:	以离子植入技术改善锗超浅接面与超低接触阻抗( II ) Improving Ge-Based Shallow Junctions and Low Resistance Contact by Ion Implantation Technology( II )
作者:	国立交通大学电子工程学系及电子研究所
公开日期:	2015
官方说明文件#:	MOST104-2622-E009-008-CC2
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130127 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11606547&docId=474534
显示于类别：	Research Plans

APA	(2015). 以离子植入技术改善锗超浅接面与超低接触阻抗( II ). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11606547&docId=474534.
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