新穎三五族通道與源極/汲極結構之研發與其應用於次14奈米互補式金氧半場效電晶體之製作

標題:	新穎三五族通道與源極/汲極結構之研發與其應用於次14奈米互補式金氧半場效電晶體之製作 Development of Advanced Source/Drain Structure and Its Application on Sub-14nm III-V Channel Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors
作者:	國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2016
官方說明文件#:	MOST104-2221-E009-060-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130597 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11565409&docId=467017
Appears in Collections:	Research Plans