場效電晶體微縮至3奈米技術點的長距庫倫效應研究

標題:	場效電晶體微縮至3奈米技術點的長距庫倫效應研究 Long-Range Coulomb Effects on FETs Scaling down to 3-nm Node
作者:	國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2016
官方說明文件#:	MOST104-2221-E009-072-MY3
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130626 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11580720&docId=471220
顯示於類別：	研究計畫