在有著複雜幾何與材料內容的半導體物體中激子g-factor張量

標題:	在有著複雜幾何與材料內容的半導體物體中激子g-factor張量 Exciton G-Factor Tensor in Semiconductor Nano-Objects with Complex Geometry and Material Content
作者:	霍斯科國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字:	;
公開日期:	2016
摘要:
官方說明文件#:	MOST105-2112-M009-009
URI:	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11874764&docId=484073 http://hdl.handle.net/11536/131771
顯示於類別：	研究計畫