標題: 非揮發性金屬橋梁式電阻式記憶體之研發
Research and Development of Nonvolatile Conducting-Bridge Resistive Switching Memory (Cbram)
作者: 曾俊元 
國立交通大學電子工程學系及電子研究所 
關鍵字:  ; 
公開日期: 2016
摘要:  
 
官方說明文件#: MOST105-2221-E009-143-MY3 
URI: https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11886505&docId=487398
http://hdl.handle.net/11536/131851
顯示於類別:研究計畫