電子與二氧化矽及氧化鎂的交互作用

標題:	電子與二氧化矽及氧化鎂的交互作用 Electron Interactions with SiO/sub 2/ and MgO
作者:	桂正楣交通大學電子研究所
關鍵字:	能帶躍遷;能量損失函數;非彈性平均自由徑;非彈性散射函數;阻擋能力 ;Interband transition;Energy loss function;Inelastic mean free path;Inelastic scattering function;Stopping power
公開日期:	1993
摘要:	在介質內的電子對外界探測所造成的反應,通常可分成價電子的貢獻和內層電子的貢獻.而價電子的貢獻可由介電理論來描述.由「無規相位近似」(RPA)所得的Linhard介電理論,可非常成功地來描述簡單金屬中價電子的非彈性作用.加上修正,RPA理論已被使用在其他金屬和一些有簡單能帶的半導體上.對於過渡金屬,絕緣體和其他半導體,能帶躍遷所造成的激發能譜中寬大分佈損失高�,使用問題複雜化.電漿激元的激發和能帶躍遷,與光學介電函數及能量損失函數有極密切的關聯.雖然詳細的介電函數需要有正確的能帶結構,但是延伸的Drude介電函數已非常成功地使用在 III-V半導體上.
官方說明文件#:	NSC82-0208-M009-013
URI:	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=4420&docId=405 http://hdl.handle.net/11536/132145
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