高功率積體電路用矽晶片直接黏合技術(II)

Abstract

�研究計畫名稱:高功率積體電路用矽晶片直 接黏合技術(□)�研究背景:矽晶片直接黏合技術"SDB"(Silicon-wafer Direct Bonding), 由於兩片矽晶片都具有本體矽(Bulk)的優良特性可 提供高品質SOI,取代DI(Dielectric Isolation)的磊晶技 術,最適合應用到高功率積體電路power IC,美日先 進國家已漸由研究邁進實用的階段,是非常有潛 力的技術.�目的:ぇ研究SDB技術取代傳統SOI形成技術,發展高品質 SOI.え採用SDB技術,試作多種高低濃度的PN Junction研究 其界面特性.ぉ利用SDB技術,開發各種應用,提升SDB技術在工業 的應用價值.�實施方法:ぇ製作SOI電容體,藉以評測SOI Oxide的電特性,確立 SiO/sub2/-to-SiO/sub 2/之黏合技術.え製作PN Junction,直接評測C-V, I-V特性,確立Si-to-Si 之黏合技術.ぉ探討SDB技術�,Auto-doping最佳條件,掌握擴散濃 度,溫度,時間和擴散深度的關係.�有效利用Auto-doping將PN Junction接面離開Bonding Interface,製作PN元件,評測C-V, I-V特性.�利用熱影像系統評測晶片黏合品質.�預期成果:ぇ配合高功率積體電路的開發,提供高品質SOI製 作技術.え提供多樣組合的SDB晶片,取代傳統的磊晶層技 術.ぉ建立薄膜化技術,完成功能元件所需之SOI本體 矽薄膜化.