離子植入的物理模式研究

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	郭雙發	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:08Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:08Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-240	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59667&docId=8751	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132197	-
dc.description.abstract	本計畫係繼續上一專題「離子植入蒙地卡羅計算機模擬」而提出,吾人利用蒙地卡羅方法,以及現有的核子碰撞和電子阻擋之物理模式,已成功地建立一套可以模擬離子植入及金屬噴濺的計算程式,並已有初步的成果.唯此程式所模擬出來的結果,與其所採用的物理模式息息相關.近來,關於核子碰撞的原子際電位, 已有通用模式可循,可是關於電子阻擋所引起的非彈性能量損失,則是尚無定論.對於低能量離子植入,似可使用現有的非局部電子能量損失模式. 但是對於高能量離子植入,則需使用局部電子能量損失模式,而現有的經驗模式,似乎不夠準確.吾人擬利用數值積分方法,計算並建立電子阻擋力量與入衝參數間的關係,發展一套更完善的物理模式.吾人亦將研究核子碰撞和電子阻擋力量兩者間的相互效應,以探討重離子在輕元素物質中射程分佈.此外,吾人亦將繼續研究離子在多元素化合物中的碰撞截面,試圖建立一種通用的能量損失模式,甚至用在共價鍵的矽元素上.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	製程模擬	zh_TW
dc.subject	離子植入	zh_TW
dc.subject	物理模式	zh_TW
dc.subject	Process Simulation	en_US
dc.subject	Ion implantation	en_US
dc.subject	Physical models	en_US
dc.title	離子植入的物理模式研究	zh_TW
dc.title	A Study on the Physical Models in Ion Implantations	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
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