標題: | 電晶體之製法 |
作者: | 孟心飛 冉曉雯 趙宇強 洪勝富 陳兆軒 鄭羽? 張哲豪 |
公開日期: | 16-一月-2016 |
摘要: | 一種電晶體之製法,係先提供一基材與一承載件,該基材上形成有絕緣層,該絕緣層具有複數外露該基材之通道,且該絕緣層上形成有導體層,又該承載件之表面上形成有流體包覆材料;接著,將該基材設於該承載件上,使該導體層接觸該流體包覆材料,之後再移動該基材,使該基材遠離該承載件,以令該流體包覆材料擴散包覆該導體層,待該導體層完全離開該承載件上之流體包覆材料之表面後,使該導體層上之流體包覆材料作為包覆層,故藉由控制該流體包覆材料之濃度及該基材之上升速度,以決定該包覆層的成形範圍,因而可避免成膜厚度太薄之問題。 |
官方說明文件#: | H01L021/336 H01L021/28 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/132241 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201603143 |
顯示於類別: | 專利資料 |