完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
dc.contributor.author | 呂佳凌 | en_US |
dc.date.accessioned | 2016-12-20T05:04:22Z | - |
dc.date.available | 2016-12-20T05:04:22Z | - |
dc.date.issued | 2016-06-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | C25D003/38 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | C25D007/06 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H05K001/09 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H05K003/18 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/132280 | - |
dc.description.abstract | 本發明提供一種具有大晶粒之銅薄膜,其中在該銅薄膜之至少一表面上,50%以上之面積的晶粒係沿[100]晶軸方向成長,且該複數個晶粒的平均大小為150 mm以上。本發明之銅薄膜上的晶粒尺寸較大,且具有高度優選的方向性,因此可使銅薄膜具有良好的可撓性、穩定度以及抗電遷移特性。本發明亦提供具有上述銅薄膜之銅箔基板。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 具有大晶粒之銅薄膜、包含其之銅箔基板、以及該銅箔基板之製備方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 201621091 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |