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dc.contributor.author陳智en_US
dc.contributor.author呂佳凌en_US
dc.date.accessioned2016-12-20T05:04:22Z-
dc.date.available2016-12-20T05:04:22Z-
dc.date.issued2016-06-16en_US
dc.identifier.govdocC25D003/38zh_TW
dc.identifier.govdocC25D007/06zh_TW
dc.identifier.govdocH05K001/09zh_TW
dc.identifier.govdocH05K003/18zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/132280-
dc.description.abstract本發明提供一種具有大晶粒之銅薄膜,其中在該銅薄膜之至少一表面上,50%以上之面積的晶粒係沿[100]晶軸方向成長,且該複數個晶粒的平均大小為150 mm以上。本發明之銅薄膜上的晶粒尺寸較大,且具有高度優選的方向性,因此可使銅薄膜具有良好的可撓性、穩定度以及抗電遷移特性。本發明亦提供具有上述銅薄膜之銅箔基板。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title具有大晶粒之銅薄膜、包含其之銅箔基板、以及該銅箔基板之製備方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber201621091zh_TW
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  1. 201621091.pdf

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