完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 李?宇 | en_US |
| dc.contributor.author | 鄒安傑 | en_US |
| dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
| dc.contributor.author | 張俊彥 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2016-12-20T05:04:25Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-20T05:04:25Z | - |
| dc.date.issued | 2016-08-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/778 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/22 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/132299 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係提供一種高速電晶體，包括基板、形成於該基板上方的超晶格結構以及形成於該超晶格結構上的磊晶層。該高速電晶體使用具有碳摻雜的氮化鋁/氮化鎵的超晶格結構作為磊晶層與基板之間的結構，而能有效減少垂直漏電流，進而能夠提昇磊晶品質及高速電晶體之崩潰電壓。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 高速電晶體 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201628191 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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