完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 簡昭欣 | en_US |
| dc.contributor.author | 潘正聖 | en_US |
| dc.contributor.author | 周承翰 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2016-12-20T05:04:27Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-20T05:04:27Z | - |
| dc.date.issued | 2016-10-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/41 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/132310 | - |
| dc.description.abstract | 本揭露係關於一些半導體裝置及其製造方法。在一實施例中，一半導體裝置及其製造方法包括圖案化一基底，使基底具有一第一區域以及延伸自基底的第一區域的一第二區域。沉積一隔離層於基底的第一區域的一表面上，以及磊晶形成一源極/汲極區域，其中源極/汲極區域位於隔離區上且鄰接基底的第二區域的數個側壁。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半導體裝置及其製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201635390 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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