完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 簡昭欣 | en_US |
| dc.contributor.author | 周承翰 | en_US |
| dc.contributor.author | 鍾政庭 | en_US |
| dc.contributor.author | 潘正聖 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2016-12-20T05:04:28Z | - |
| dc.date.available | 2016-12-20T05:04:28Z | - |
| dc.date.issued | 2016-10-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/41 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/132319 | - |
| dc.description.abstract | 一半導體裝置包含至少一鰭。該鰭設置於一半導體基板的一表面上。該鰭包含沿著一第一方向延伸的一主要部分，以及至少一次要部分，其沿著一第二方向自該主要部分向外延伸，該第一方向與第二方向並非同一直線。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 具有結構強度較強的鰭之鰭式場效電晶體半導體裝置 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 201637199 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
