統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Improved linearity and reliability in GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using nanolaminate La2O3/SiO2 gate dielectric | 20 |
本月總瀏覽
| 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | 三月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Improved linearity and reliability in GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using nanolaminate La2O3/SiO2 gate dielectric | 0 | 3 | 1 | 2 | 9 | 3 | 1 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 越南 | 9 |
| 美國 | 7 |
| 加拿大 | 3 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Hanoi | 9 |
| Ottawa | 3 |
| Thousand Oaks | 3 |
| Buffalo | 2 |
| Menlo Park | 1 |