統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Study on the ESD-Induced Gate-Oxide Breakdown and the Protection Solution in 28nm High-K Metal-Gate CMOS Technology | 2 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Study on the ESD-Induced Gate-Oxide Breakdown and the Protection Solution in 28nm High-K Metal-Gate CMOS Technology | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 俄羅斯聯邦 | 1 |
| 美國 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Leawood | 1 |