統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Reliability of strained SiGe channel p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultra-thin (EOT=3.1nm) N(2)O-annealed SiN gate dielectric | 106 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Reliability of strained SiGe channel p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultra-thin (EOT=3.1nm) N(2)O-annealed SiN gate dielectric | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 100 |
| 美國 | 5 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 98 |
| Kensington | 2 |
| Menlo Park | 2 |
| Beijing | 1 |
| Kirksville | 1 |
| Nanning | 1 |