非晶態氧化銦鎵鋅電阻式記憶體與薄膜電晶體整合之研究

標題:	非晶態氧化銦鎵鋅電阻式記憶體與薄膜電晶體整合之研究 Study on Integration of a-InGaZnO Based Resistive Random Access Memory and Thin-film Transistor
作者:	簡振宇劉柏村謝漢萍 Chien, Chen-Yu Liu, Po-Tsun Shieh, Han-Ping 光電工程研究所
關鍵字:	透明非晶態金屬氧化物;氧化銦鎵鋅;電阻式記憶體;薄膜電晶體;整合;TAOS;IGZO;RRAM;TFT;Integration
公開日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070350610 http://hdl.handle.net/11536/139411
顯示於類別：	畢業論文