氮化鋁緩衝層的沉積條件對圖形化藍寶石基板磊晶氮化鎵的影響

標題:	氮化鋁緩衝層的沉積條件對圖形化藍寶石基板磊晶氮化鎵的影響 Effect of AlN Buffer Layer on the GaN Grown on Patterned Sapphire Substrate
作者:	古皓齊吳耀銓工學院半導體材料與製程設備學程
關鍵字:	氮化鋁;緩衝層;圖形化藍寶石基板;氮化鎵;AlN;Buffer Layer;Patterned Sapphire Substrate;GaN
公開日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070161319 http://hdl.handle.net/11536/139698
顯示於類別：	畢業論文