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標題: 氮化鋁緩衝層的沉積條件對圖形化藍寶石基板磊晶氮化鎵的影響
Effect of AlN Buffer Layer on the GaN Grown on Patterned Sapphire Substrate
作者: 古皓齊
吳耀銓
工學院半導體材料與製程設備學程
關鍵字: 氮化鋁;緩衝層;圖形化藍寶石基板;氮化鎵;AlN;Buffer Layer;Patterned Sapphire Substrate;GaN
公開日期: 2016
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070161319
http://hdl.handle.net/11536/139698
Appears in Collections:Thesis


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